DGF30F65M2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DGF30F65M2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 85 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DGF30F65M2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGF30F65M2 даташит

 ..1. Size:844K  cn wxdh
 dgf30f65m2.pdf pdf_icon

DGF30F65M2

DGF30F65M2 30A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 650V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage VCE(sat), typ = 1.9V @ I =30A

Другие IGBT... DGC40F65M2, DGC40H120M2, DGC50F65M2, DGC60F65M, DGC75F120M2, DGC75F65M, DGD06F65M2, DGE20F65M2, IKW40N120H3, DHG60T65D, G25T120D, G40N120D, G50T65DS, G50T65LBBW, DHG20T65D, JJT10N65SC, JJT10N65SCD