2SH31 Todos los transistores

 

2SH31 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SH31
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SH31 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SH31 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  hitachi
2sh31.pdf pdf_icon

2SH31

2SH31Silicon N Channel IGBTHigh Speed Power SwitchingADE-208-793(Z)1st. EditionMay 1999Features High speed switching Low on-voltageOutlineTO3PCG1. GateE12. Collector (Flange)23. Emitter32SH31Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)Item Symbol Ratings UnitCollector to Emitter voltage VCES 600 VGate to Emitter voltage VGES 20 VCollector

Otros transistores... 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , 2SH30 , MGD623S , HCKZ75N65BH2 , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L , APT100GF60LR , APT11GF120BRD , IGC07R60DE , IGC07R60D , IGC06R60DE .

History: SMBL1G50US60 | NCE40TH60BPF | IGC18T120T8L | NCE40TH60BT

 

 
Back to Top

 


 
.