2SH31 - аналоги и описание IGBT

 

2SH31 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 2SH31

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для 2SH31

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2SH31 даташит

 ..1. Size:48K  hitachi
 2sh31.pdf pdf_icon

2SH31

2SH31 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching ADE-208-793(Z) 1st. Edition May 1999 Features High speed switching Low on-voltage Outline TO 3P C G 1. Gate E 1 2. Collector (Flange) 2 3. Emitter 3 2SH31 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to Emitter voltage VCES 600 V Gate to Emitter voltage VGES 20 V Collector

Другие IGBT... 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , 2SH30 , FGH30S130P , HCKZ75N65BH2 , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L , APT100GF60LR , APT11GF120BRD , IGC07R60DE , IGC07R60D , IGC06R60DE .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.