DHG20T65D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHG20T65D  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 26 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF

Encapsulados: TO220F

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DHG20T65D datasheet

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DHG20T65D

DHG20T65D Insulated Gate Bipolar Transistor General Description V 650 V CES Using DongHai's proprietary Trench design and advanced FS I 18 A C technology, the 650V FS IGBT offers superior conduction and switching P T =25 26 W tot C performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. V 1.8 V CE(SAT) Features FS Trench Technology, Positive temperatu

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