DHG20T65D Todos los transistores

 

DHG20T65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHG20T65D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 26 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 36 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 59 nC
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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DHG20T65D Datasheet (PDF)

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DHG20T65D

DHG20T65DInsulated Gate Bipolar TransistorGeneral DescriptionV 650 VCESUsing DongHai's proprietary Trench design and advanced FSI 18 ACtechnology, the 650V FS IGBT offers superior conduction and switchingP T =25 26 Wtot Cperformances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.V 1.8 VCE(SAT)Features FS Trench Technology, Positive temperatu

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