Справочник IGBT. DHG20T65D

 

DHG20T65D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DHG20T65D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для DHG20T65D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DHG20T65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:470K  cn wxdh
 dhg20t65d.pdf pdf_icon

DHG20T65D

DHG20T65DInsulated Gate Bipolar TransistorGeneral DescriptionV 650 VCESUsing DongHai's proprietary Trench design and advanced FSI 18 ACtechnology, the 650V FS IGBT offers superior conduction and switchingP T =25 26 Wtot Cperformances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.V 1.8 VCE(SAT)Features FS Trench Technology, Positive temperatu

Другие IGBT... DGD06F65M2 , DGE20F65M2 , DGF30F65M2 , DHG60T65D , G25T120D , G40N120D , G50T65DS , G50T65LBBW , GT50JR22 , JJT10N65SC , JJT10N65SCD , JJT10N65SGD , JJT10N65SS , JJT10N65ST , JJT120N75SA , JJT50N65HE , JJT50N65LE .

 

 
Back to Top

 


 
.