DHG20T65D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DHG20T65D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 36 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DHG20T65D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DHG20T65D даташит

 ..1. Size:470K  cn wxdh
 dhg20t65d.pdf pdf_icon

DHG20T65D

DHG20T65D Insulated Gate Bipolar Transistor General Description V 650 V CES Using DongHai's proprietary Trench design and advanced FS I 18 A C technology, the 650V FS IGBT offers superior conduction and switching P T =25 26 W tot C performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. V 1.8 V CE(SAT) Features FS Trench Technology, Positive temperatu

Другие IGBT... DGD06F65M2, DGE20F65M2, DGF30F65M2, DHG60T65D, G25T120D, G40N120D, G50T65DS, G50T65LBBW, MBQ60T65PES, JJT10N65SC, JJT10N65SCD, JJT10N65SGD, JJT10N65SS, JJT10N65ST, JJT120N75SA, JJT50N65HE, JJT50N65LE