JJT120N75SA Todos los transistores

 

JJT120N75SA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JJT120N75SA
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 394 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 750 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 141 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 390 pF
   Paquete / Cubierta: TO247PLUS
 

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JJT120N75SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1413K  jiejie micro
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JJT120N75SA

750V 120A Trench and Field Stop IGBTJJT120N75SAKey performance:TO-247PLUS V =750VCE I =120A@T =100C C V =1.4VCE(sat)Features:G Trench and field-stop technology.CE Easy parallel switching capability.Benefits: High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant.Applications: PFC applications Uninte

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