JJT120N75SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: JJT120N75SA  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 394 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 750 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 141 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 390 pF

Тип корпуса: TO247PLUS

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для JJT120N75SA

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JJT120N75SA даташит

 ..1. Size:1413K  jiejie micro
 jjt120n75sa.pdf pdf_icon

JJT120N75SA

750V 120A Trench and Field Stop IGBT JJT120N75SA Key performance TO-247PLUS V =750V CE I =120A@T =100 C C V =1.4V CE(sat) Features G Trench and field-stop technology. C E Easy parallel switching capability. Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Uninte

Другие IGBT... G50T65DS, G50T65LBBW, DHG20T65D, JJT10N65SC, JJT10N65SCD, JJT10N65SGD, JJT10N65SS, JJT10N65ST, FGD4536, JJT50N65HE, JJT50N65LE, JJT50N65UE, JJT50N65UH, JJT15N120SE, JJT15N65SC, JJT15N65SG, JJT15N65SS