JJT120N75SA - аналоги и описание IGBT

 

JJT120N75SA - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: JJT120N75SA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 394 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 750 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 141 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 390 pF
   Тип корпуса: TO247PLUS
 

 Аналог (замена) для JJT120N75SA

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры JJT120N75SA

 ..1. Size:1413K  jiejie micro
 jjt120n75sa.pdf pdf_icon

JJT120N75SA

750V 120A Trench and Field Stop IGBT JJT120N75SA Key performance TO-247PLUS V =750V CE I =120A@T =100 C C V =1.4V CE(sat) Features G Trench and field-stop technology. C E Easy parallel switching capability. Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Uninte

Другие IGBT... G50T65DS , G50T65LBBW , DHG20T65D , JJT10N65SC , JJT10N65SCD , JJT10N65SGD , JJT10N65SS , JJT10N65ST , IXGH60N60 , JJT50N65HE , JJT50N65LE , JJT50N65UE , JJT50N65UH , JJT15N120SE , JJT15N65SC , JJT15N65SG , JJT15N65SS .

History: JJT50N65LE | APT20GT60BRDQ1G | JJT50N65HE

 

 
Back to Top

 


 
.