JJT25N120SE - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JJT25N120SE
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 428 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 105 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de JJT25N120SE IGBT
JJT25N120SE Datasheet (PDF)
jjt25n120se.pdf
1200V 25A Trench and Field Stop IGBTJJT25N120SEKey performance: V =1200VCETO-247 I =25A@T =100C C V =1.7VCE(sat)Features: Trench and field-stop technology High speed switchingGC Low collector to emitter saturation voltageE Easy parallel switching capability Short circuit withstands time 10s High ruggedness performance Ro
jjt25n135ue.pdf
1350V 25A Trench and Field Stop IGBTJJT25N135UEKey performance: V =1350VCETO-247 I =25A@T =100C C V =2.0VCE(sat)Features: Trench and field-stop technology High speed switchingGC Positive VCE (sat) temperature coefficient.E Fast switching and short tail current. High ruggedness performanceApplications: Induction cooking R
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