JJT25N120SE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: JJT25N120SE  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для JJT25N120SE

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JJT25N120SE даташит

 ..1. Size:3925K  jiejie micro
 jjt25n120se.pdf pdf_icon

JJT25N120SE

1200V 25A Trench and Field Stop IGBT JJT25N120SE Key performance V =1200V CE TO-247 I =25A@T =100 C C V =1.7V CE(sat) Features Trench and field-stop technology High speed switching G C Low collector to emitter saturation voltage E Easy parallel switching capability Short circuit withstands time 10 s High ruggedness performance Ro

 7.1. Size:3944K  jiejie micro
 jjt25n135ue.pdf pdf_icon

JJT25N120SE

1350V 25A Trench and Field Stop IGBT JJT25N135UE Key performance V =1350V CE TO-247 I =25A@T =100 C C V =2.0V CE(sat) Features Trench and field-stop technology High speed switching G C Positive VCE (sat) temperature coefficient. E Fast switching and short tail current. High ruggedness performance Applications Induction cooking R

Другие IGBT... JJT6N65STD, JJT75N120SA, JJT75N65HCN, JJT75N65HE, JJT20N65SC, JJT20N65SE, JJT20N65SS, JJT20N65SY, IHW20N120R3, JJT25N135UE, JJT60N65HE, JJT60N65UE, JJT60N65UH, JJT40N120UE, JJT40N135UE, JJT40N65HE, JJT40N65LE