JJT25N120SE - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги JJT25N120SE. Основные параметры


   Наименование: JJT25N120SE
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для JJT25N120SE

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JJT25N120SE даташит

 ..1. Size:3925K  jiejie micro
 jjt25n120se.pdf pdf_icon

JJT25N120SE

1200V 25A Trench and Field Stop IGBT JJT25N120SE Key performance V =1200V CE TO-247 I =25A@T =100 C C V =1.7V CE(sat) Features Trench and field-stop technology High speed switching G C Low collector to emitter saturation voltage E Easy parallel switching capability Short circuit withstands time 10 s High ruggedness performance Ro

 7.1. Size:3944K  jiejie micro
 jjt25n135ue.pdf pdf_icon

JJT25N120SE

1350V 25A Trench and Field Stop IGBT JJT25N135UE Key performance V =1350V CE TO-247 I =25A@T =100 C C V =2.0V CE(sat) Features Trench and field-stop technology High speed switching G C Positive VCE (sat) temperature coefficient. E Fast switching and short tail current. High ruggedness performance Applications Induction cooking R

Другие IGBT... JJT6N65STD , JJT75N120SA , JJT75N65HCN , JJT75N65HE , JJT20N65SC , JJT20N65SE , JJT20N65SS , JJT20N65SY , IRGP4063D , JJT25N135UE , JJT60N65HE , JJT60N65UE , JJT60N65UH , JJT40N120UE , JJT40N135UE , JJT40N65HE , JJT40N65LE .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.