Справочник IGBT. JJT25N120SE

 

JJT25N120SE Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JJT25N120SE
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для JJT25N120SE

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JJT25N120SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3925K  jiejie micro
 jjt25n120se.pdf pdf_icon

JJT25N120SE

1200V 25A Trench and Field Stop IGBTJJT25N120SEKey performance: V =1200VCETO-247 I =25A@T =100C C V =1.7VCE(sat)Features: Trench and field-stop technology High speed switchingGC Low collector to emitter saturation voltageE Easy parallel switching capability Short circuit withstands time 10s High ruggedness performance Ro

 7.1. Size:3944K  jiejie micro
 jjt25n135ue.pdf pdf_icon

JJT25N120SE

1350V 25A Trench and Field Stop IGBTJJT25N135UEKey performance: V =1350VCETO-247 I =25A@T =100C C V =2.0VCE(sat)Features: Trench and field-stop technology High speed switchingGC Positive VCE (sat) temperature coefficient.E Fast switching and short tail current. High ruggedness performanceApplications: Induction cooking R

Другие IGBT... JJT6N65STD , JJT75N120SA , JJT75N65HCN , JJT75N65HE , JJT20N65SC , JJT20N65SE , JJT20N65SS , JJT20N65SY , RJH3047 , JJT25N135UE , JJT60N65HE , JJT60N65UE , JJT60N65UH , JJT40N120UE , JJT40N135UE , JJT40N65HE , JJT40N65LE .

 

 
Back to Top

 


 
.