HCKZ75N65BH2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCKZ75N65BH2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: K75H652
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 469
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 150
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.1
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 115
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 244
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 142
Paquete / Cubierta: TO247-4
Búsqueda de reemplazo de HCKZ75N65BH2 - IGBT
HCKZ75N65BH2 Datasheet (PDF)
hckz75n65bh2.pdf

HCKZ75N65BH2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKZ75N65BH2 is a 650V75A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV , high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesathigh switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technolo
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