Справочник IGBT. HCKZ75N65BH2

 

HCKZ75N65BH2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: HCKZ75N65BH2

Тип транзистора: IGBT + Diode

Маркировка: K75H652

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 469

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.1

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 115

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 244

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 142

Тип корпуса: TO247-4

Аналог (замена) для HCKZ75N65BH2

 

 

HCKZ75N65BH2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1281K  cn vgsemi
hckz75n65bh2.pdf

HCKZ75N65BH2
HCKZ75N65BH2

HCKZ75N65BH2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKZ75N65BH2 is a 650V75A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV , high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesathigh switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technolo

Другие IGBT... 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , 2SH30 , 2SH31 , FGT313 , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L , APT100GF60LR , APT11GF120BRD , IGC07R60DE , IGC07R60D , IGC06R60DE , APT15GF170BR .

 

 
Back to Top