Справочник IGBT. HCKZ75N65BH2

 

HCKZ75N65BH2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HCKZ75N65BH2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 469 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 115 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 244 pF
   Тип корпуса: TO247-4
 

 Аналог (замена) для HCKZ75N65BH2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HCKZ75N65BH2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1281K  cn vgsemi
 hckz75n65bh2.pdf pdf_icon

HCKZ75N65BH2

HCKZ75N65BH2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKZ75N65BH2 is a 650V75A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV , high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesathigh switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technolo

 5.1. Size:1333K  cn vgsemi
 hckz75n65gh2.pdf pdf_icon

HCKZ75N65BH2

HCKZ75N65GH2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKZ75N65GH2 is a 650V75A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a SiC diode,has the characteristics of low V , highcesatjunction temperature and strong robustness. It is very suitable for products with high switchingfrequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technology Lo

Другие IGBT... 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , 2SH30 , 2SH31 , IRGB20B60PD1 , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L , APT100GF60LR , APT11GF120BRD , IGC07R60DE , IGC07R60D , IGC06R60DE , APT15GF170BR .

History: IRGB4715D

 

 
Back to Top

 


 
.