HCKZ75N65BH2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HCKZ75N65BH2
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K75H652
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 469
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.1
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 115
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 244
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 142
Тип корпуса: TO247-4
Аналог (замена) для HCKZ75N65BH2
HCKZ75N65BH2 Datasheet (PDF)
hckz75n65bh2.pdf

HCKZ75N65BH2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKZ75N65BH2 is a 650V75A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV , high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesathigh switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technolo
hckz75n65gh2.pdf

HCKZ75N65GH2@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKZ75N65GH2 is a 650V75A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a SiC diode,has the characteristics of low V , highcesatjunction temperature and strong robustness. It is very suitable for products with high switchingfrequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technology Lo
Другие IGBT... 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , 2SH30 , 2SH31 , STGW80H65DFB , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L , APT100GF60LR , APT11GF120BRD , IGC07R60DE , IGC07R60D , IGC06R60DE , APT15GF170BR .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: HIA20N140IH-DA | HIA50N65IH-JA | HIA50N65H-SA | HIA50N65T-SA | HIA50N65H-JA | HIA50N65T-JA | HIA30N140CIH-DA | HIA40N120T-SA | HIW30N65T-SA | HIA30N65T-SA | HIA75N65H-SA