IXSM30N60A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSM30N60A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3(max) V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 130 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 240 pF
Paquete / Cubierta: TO204
Búsqueda de reemplazo de IXSM30N60A - IGBT
IXSM30N60A Datasheet (PDF)
ixsm35n100a.pdf
High speed IGBT IXSH 35N100A VCES = 1000 VIXSM 35N100A IC25 = 70 AVCE(sat) = 3.5 VShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C70 AIC90 TC = 90C35 A TO-204 AE (IXSM)ICM TC = 25C, 1 ms 140 A
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Liste
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