IXSM30N60A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSM30N60A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3(max) V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 130 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 240 pF
Encapsulados: TO204
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IXSM30N60A datasheet
ixsm35n100a.pdf
High speed IGBT IXSH 35N100A VCES = 1000 V IXSM 35N100A IC25 = 70 A VCE(sat) = 3.5 V Short Circuit SOA Capability Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C70 A IC90 TC = 90 C35 A TO-204 AE (IXSM) ICM TC = 25 C, 1 ms 140 A
Otros transistores... IXSK30N60CD1 , IXSK35N120AU1 , IXSK40N60BD1 , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 , IXSK50N60BU1 , IXSM30N60 , RJH60F5DPQ-A0 , IXSN35N100U1 , IXSN35N120AU1 , IXSN50N60BD2 , IXSN50N60BD3 , IXSN52N60AU1 , IXSN55N120A , IXSN55N120AU1 , IXSN62N60U1 .
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