IXSM30N60A - аналоги и описание IGBT

 

IXSM30N60A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSM30N60A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 130 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF

Тип корпуса: TO204

 Аналог (замена) для IXSM30N60A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSM30N60A даташит

 ..1. Size:263K  ixys
 ixsh30n60 ixsh30n60a ixsm30n60 ixsm30n60a.pdf pdf_icon

IXSM30N60A

 9.1. Size:78K  ixys
 ixsm35n100a.pdf pdf_icon

IXSM30N60A

High speed IGBT IXSH 35N100A VCES = 1000 V IXSM 35N100A IC25 = 70 A VCE(sat) = 3.5 V Short Circuit SOA Capability Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C70 A IC90 TC = 90 C35 A TO-204 AE (IXSM) ICM TC = 25 C, 1 ms 140 A

Другие IGBT... IXSK30N60CD1 , IXSK35N120AU1 , IXSK40N60BD1 , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 , IXSK50N60BU1 , IXSM30N60 , RJH60F5DPQ-A0 , IXSN35N100U1 , IXSN35N120AU1 , IXSN50N60BD2 , IXSN50N60BD3 , IXSN52N60AU1 , IXSN55N120A , IXSN55N120AU1 , IXSN62N60U1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.