IXSN62N60U1 Todos los transistores

 

IXSN62N60U1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXSN62N60U1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 220 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF
   Paquete / Cubierta: SOT227B
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXSN62N60U1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ixys
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IXSN62N60U1

IGBT with Diode IXSN 62N60U1 VCES = 600 VIC25 = 90 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA Capability3241Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B12VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 AVGES Continuous 20 V4VGEM Transient 30 V3IC25 TC = 25C90 A1 = Emitter , 3 = CollectorIC90 TC = 90C50 A2 = Gate, 4

Otros transistores... IXSM30N60A , IXSN35N100U1 , IXSN35N120AU1 , IXSN50N60BD2 , IXSN50N60BD3 , IXSN52N60AU1 , IXSN55N120A , IXSN55N120AU1 , IRG4PF50W , IXSN80N60A , IXSN80N60AU1 , IXSP16N60 , IXST15N120B , IXST30N60B , IXST30N60BD1 , IXST30N60C , IXST30N60CD1 .

History: SGP23N60UFD | IRG4BC30F | STGW40N120KD | OM6526SA | IXSN35N120AU1 | IXGH28N90B | SII150N12

 

 
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