IXSN62N60U1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSN62N60U1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 220 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF
Paquete / Cubierta: SOT227B
Búsqueda de reemplazo de IXSN62N60U1 - IGBT
IXSN62N60U1 Datasheet (PDF)
ixsn62n60u1.pdf
IGBT with Diode IXSN 62N60U1 VCES = 600 VIC25 = 90 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA Capability3241Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B12VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 AVGES Continuous 20 V4VGEM Transient 30 V3IC25 TC = 25C90 A1 = Emitter , 3 = CollectorIC90 TC = 90C50 A2 = Gate, 4
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Liste
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