IXSN62N60U1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXSN62N60U1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 220 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF
Encapsulados: SOT227B
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IXSN62N60U1 datasheet
ixsn62n60u1.pdf
IGBT with Diode IXSN 62N60U1 VCES = 600 V IC25 = 90 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability 3 2 4 1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B 1 2 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 A VGES Continuous 20 V 4 VGEM Transient 30 V 3 IC25 TC = 25 C90 A 1 = Emitter , 3 = Collector IC90 TC = 90 C50 A 2 = Gate, 4
Otros transistores... IXSM30N60A , IXSN35N100U1 , IXSN35N120AU1 , IXSN50N60BD2 , IXSN50N60BD3 , IXSN52N60AU1 , IXSN55N120A , IXSN55N120AU1 , IKW40N65WR5 , IXSN80N60A , IXSN80N60AU1 , IXSP16N60 , IXST15N120B , IXST30N60B , IXST30N60BD1 , IXST30N60C , IXST30N60CD1 .
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