IXSN62N60U1 - аналоги и описание IGBT

 

IXSN62N60U1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSN62N60U1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 220 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF

Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXSN62N60U1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSN62N60U1 даташит

 ..1. Size:71K  ixys
 ixsn62n60u1.pdf pdf_icon

IXSN62N60U1

IGBT with Diode IXSN 62N60U1 VCES = 600 V IC25 = 90 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability 3 2 4 1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B 1 2 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 A VGES Continuous 20 V 4 VGEM Transient 30 V 3 IC25 TC = 25 C90 A 1 = Emitter , 3 = Collector IC90 TC = 90 C50 A 2 = Gate, 4

Другие IGBT... IXSM30N60A , IXSN35N100U1 , IXSN35N120AU1 , IXSN50N60BD2 , IXSN50N60BD3 , IXSN52N60AU1 , IXSN55N120A , IXSN55N120AU1 , IKW40N65WR5 , IXSN80N60A , IXSN80N60AU1 , IXSP16N60 , IXST15N120B , IXST30N60B , IXST30N60BD1 , IXST30N60C , IXST30N60CD1 .

History: MG17300D-BN4MM | FGD3040G2-F085V | IRGP4630DPBF | IRGP4620DPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.