IXSM45N100 Todos los transistores

 

IXSM45N100 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXSM45N100
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 300 pF
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXSM45N100 Datasheet (PDF)

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IXSM45N100

Low VCE(sat) IGBT IXSH 45N100 VCES = 1000 VIXSM 45N100 IC25 = 75 AVCE(sat) = 2.7 VShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C75 AIC90 TC = 90C45 A TO-204 AE (IXSM)ICM TC = 25C, 1 ms 180 A

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 ixsh40n60 ixsh40n60a ixsm40n60 ixsm40n60a.pdf pdf_icon

IXSM45N100

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History: ISL9V3036D3S

 

 
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