IXSM45N100 - аналоги и описание IGBT

 

IXSM45N100 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSM45N100

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF

Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для IXSM45N100

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSM45N100 даташит

 ..1. Size:102K  ixys
 ixsm45n100.pdf pdf_icon

IXSM45N100

Low VCE(sat) IGBT IXSH 45N100 VCES = 1000 V IXSM 45N100 IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.7 V Short Circuit SOA Capability Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C75 A IC90 TC = 90 C45 A TO-204 AE (IXSM) ICM TC = 25 C, 1 ms 180 A

 9.1. Size:277K  ixys
 ixsh40n60 ixsh40n60a ixsm40n60 ixsm40n60a.pdf pdf_icon

IXSM45N100

Другие IGBT... IXSP16N60 , IXST15N120B , IXST30N60B , IXST30N60BD1 , IXST30N60C , IXST30N60CD1 , IXST40N60B , IXSM40N60A , IRGB20B60PD1 , IXSX35N120AU1 , IXSX40N60CD1 , IXSX50N60AU1 , IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.