KP810B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP810B
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 50 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1300 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
Paquete / Cubierta: TO218
- Selección de transistores por parámetros
KP810B Datasheet (PDF)
No PDF!
Otros transistores... IXSX40N60CD1 , IXSX50N60AU1 , IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A , GT30J124 , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 .
History: FGA40N60UFD | IXBT20N360HV | RGT8BM65D | OST50N65HF-D | MMIX1X200N60B3 | RGT8NS65D
History: FGA40N60UFD | IXBT20N360HV | RGT8BM65D | OST50N65HF-D | MMIX1X200N60B3 | RGT8NS65D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232