KP810B Todos los transistores

KP810B IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KP810B

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 50 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1300 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS

Encapsulados: TO218

- Selección ⓘ de transistores por parámetros