KP810B Todos los transistores

 

KP810B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KP810B
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 50 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1300 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Paquete / Cubierta: TO218
     - Selección de transistores por parámetros

 

KP810B Datasheet (PDF)

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History: FGA40N60UFD | IXBT20N360HV | RGT8BM65D | OST50N65HF-D | MMIX1X200N60B3 | RGT8NS65D

 

 
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