KP810B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: KP810B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 50
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1300
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 7
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 200
   Тип корпуса: TO218

 Аналог (замена) для KP810B

 

 

KP810B Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... IXSX40N60CD1 , IXSX50N60AU1 , IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A , GT50JR22 , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 .