MDI100-12A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDI100-12A3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
Encapsulados: INT-A-PAK
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MDI100-12A3 datasheet
mdi100-12a3.pdf
MDI100-12A3 VCES = 1200V IGBT (NPT) Module I= 135A C25 VCE(sat) = 2.2V Buck Chopper + free wheeling Diode Part number MDI100-12A3 Backside isolated 1 7 6 3 2 Features / Advantages Applications Package Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage V 3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching l
Otros transistores... IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , GT30J124 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL .
History: FGB3236-F085 | MDI145-12A3 | MG300J2YS50
History: FGB3236-F085 | MDI145-12A3 | MG300J2YS50
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