MDI100-12A3 Todos los transistores

 

MDI100-12A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDI100-12A3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: INT-A-PAK
 

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MDI100-12A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  ixys
 mdi100-12a3.pdf pdf_icon

MDI100-12A3

MDI100-12A3VCES = 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 135AC25VCE(sat) = 2.2VBuck Chopper + free wheeling DiodePart numberMDI100-12A3Backside: isolated17632Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching l

Otros transistores... IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , FGH40N60SFD , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL .

History: BLG20T65FDLA-F | IKW50N65WR5 | IXYH40N65C3D1 | CRG40T60AK3H | IXGH32N60BU1 | CT20AS-8 | AIKB20N60CT

 

 
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