MDI100-12A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDI100-12A3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: INT-A-PAK
- Selección de transistores por parámetros
MDI100-12A3 Datasheet (PDF)
mdi100-12a3.pdf
MDI100-12A3VCES = 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 135AC25VCE(sat) = 2.2VBuck Chopper + free wheeling DiodePart numberMDI100-12A3Backside: isolated17632Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching l
Otros transistores... IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , GT50JR22 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL .
History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1
History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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