Справочник IGBT. MDI100-12A3

 

MDI100-12A3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MDI100-12A3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: INT-A-PAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MDI100-12A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  ixys
 mdi100-12a3.pdf pdf_icon

MDI100-12A3

MDI100-12A3VCES = 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 135AC25VCE(sat) = 2.2VBuck Chopper + free wheeling DiodePart numberMDI100-12A3Backside: isolated17632Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching l

Другие IGBT... IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , GT50JR22 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL .

History: APTGF90DU60T | IXGH30N60B | IKW50N65WR5 | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | MMG15CB120XB6TC | IRG7PH35UD1M

 

 
Back to Top

 


 
.