MDI100-12A3 - аналоги и описание IGBT

 

MDI100-12A3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MDI100-12A3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

Тип корпуса: INT-A-PAK

 Аналог (замена) для MDI100-12A3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MDI100-12A3 даташит

 ..1. Size:190K  ixys
 mdi100-12a3.pdf pdf_icon

MDI100-12A3

MDI100-12A3 VCES = 1200V IGBT (NPT) Module I= 135A C25 VCE(sat) = 2.2V Buck Chopper + free wheeling Diode Part number MDI100-12A3 Backside isolated 1 7 6 3 2 Features / Advantages Applications Package Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage V 3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching l

Другие IGBT... IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A , KP810B , KP810V , GT30J124 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL .

History: IXSH45N100

 

 

 

 

↑ Back to Top
.