MDI550-12A4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDI550-12A4 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 500 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
Encapsulados: INT-A-PAK
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MDI550-12A4 datasheet
mdi550-12a4.pdf
MID 550-12 A4 MDI 550-12 A4 IGBT Modules IC25 = 670 A VCES = 1200 V Short Circuit SOA Capability VCE(sat) typ. = 2.3 V Square RBSOA 3 MID MDI 2 11 3 3 1 10 9 8 8 1 1 9 11 2 2 10 E 72873 Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT IGBT technology low saturation voltage VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V low switching losses VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 20 kW 120
Otros transistores... KP810A, KP810B, KP810V, MDI100-12A3, MDI145-12A3, MDI150-12A4, MDI200-12A4, MDI300-12A4, FGD4536, MDI75-12A3, MGB15N35CLT4, MGB15N40CL, MGP11N60E, MGP11N60ED, MGP14N60E, MGP15N35CL, MGP15N38CL
History: HGTP5N120BN
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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