Справочник IGBT. MDI550-12A4

 

MDI550-12A4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MDI550-12A4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2750 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: INT-A-PAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MDI550-12A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  ixys
 mdi550-12a4.pdf pdf_icon

MDI550-12A4

MID 550-12 A4MDI 550-12 A4IGBT Modules IC25 = 670 AVCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat) typ. = 2.3 VSquare RBSOA3MID MDI2113 31109881 19112 210E 72873FeaturesSymbol Conditions Maximum RatingsNPT IGBT technologylow saturation voltageVCES TJ = 25C to 150C 1200 Vlow switching lossesVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 20 kW 120

Другие IGBT... KP810A , KP810B , KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , SGT50T65FD1PT , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , MGP14N60E , MGP15N35CL , MGP15N38CL .

History: IKW40N65F5 | JNG40T65HYU1

 

 
Back to Top

 


 
.