MGB15N35CLT4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MGB15N35CLT4
Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 136 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 380 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 22 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 2.1 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 5000 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 130 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: TBD nC
Paquete / Cubierta: D2PAK
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MGB15N35CLT4 Datasheet (PDF)
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Liste
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