Справочник IGBT. MGB15N35CLT4

 

MGB15N35CLT4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGB15N35CLT4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 380 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 22 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 5000 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MGB15N35CLT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  1
 mgb15n35clt4 mgp15n35cl.pdf pdf_icon

MGB15N35CLT4

MGP15N35CL,MGB15N35CL,MGC15N35CLInternally ClampedN-Channel IGBThttp://onsemi.comThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and OverVoltage clampedNCHANNEL IGBTprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and15 A, 350

 8.1. Size:91K  onsemi
 mgp15n40cl mgb15n40cl.pdf pdf_icon

MGB15N35CLT4

MGP15N40CL,MGB15N40CLPreferred DeviceIgnition IGBT15 Amps, 410 VoltsN-Channel TO-220 and D2PAKhttp://onsemi.comThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features15 AMPERESmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses410 VOLTS (Clamped)include Ignition, Direct Fuel Injec

Другие IGBT... KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , FGH60N60SMD , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , MGP14N60E , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL , MGP15N43CL .

History: IRGP4068DPBF | STGB19NC60HDT4 | DL2G50SH6N | MMG200DR120B | IXGH40N60B2 | SKM300GAR123D | IXGT30N60C3D1

 

 
Back to Top

 


 
.