MGB15N35CLT4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MGB15N35CLT4
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 380 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 22 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.1 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 5000 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: TBD nC
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для MGB15N35CLT4
MGB15N35CLT4 Datasheet (PDF)
mgb15n35clt4 mgp15n35cl.pdf
MGP15N35CL,MGB15N35CL,MGC15N35CLInternally ClampedN-Channel IGBThttp://onsemi.comThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and OverVoltage clampedNCHANNEL IGBTprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary usesinclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and15 A, 350
mgp15n40cl mgb15n40cl.pdf
MGP15N40CL,MGB15N40CLPreferred DeviceIgnition IGBT15 Amps, 410 VoltsN-Channel TO-220 and D2PAKhttp://onsemi.comThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features15 AMPERESmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses410 VOLTS (Clamped)include Ignition, Direct Fuel Injec
Другие IGBT... KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , FGH60N60SMD , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , MGP14N60E , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL , MGP15N43CL .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2