MGB15N35CLT4 - аналоги и описание IGBT

 

MGB15N35CLT4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MGB15N35CLT4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 380 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 22 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 5000 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF

Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для MGB15N35CLT4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGB15N35CLT4 даташит

 ..1. Size:99K  1
 mgb15n35clt4 mgp15n35cl.pdf pdf_icon

MGB15N35CLT4

MGP15N35CL, MGB15N35CL, MGC15N35CL Internally Clamped N-Channel IGBT http //onsemi.com This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over Voltage clamped N CHANNEL IGBT protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and 15 A, 350

 8.1. Size:91K  onsemi
 mgp15n40cl mgb15n40cl.pdf pdf_icon

MGB15N35CLT4

MGP15N40CL, MGB15N40CL Preferred Device Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK http //onsemi.com This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features 15 AMPERES monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses 410 VOLTS (Clamped) include Ignition, Direct Fuel Injec

Другие IGBT... KP810V , MDI100-12A3 , MDI145-12A3 , MDI150-12A4 , MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , RJP30H2A , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , MGP14N60E , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL , MGP15N43CL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.