MGP14N60E Todos los transistores

 

MGP14N60E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MGP14N60E
   Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 110 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 18 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 104 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 57 nC
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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MGP14N60E Datasheet (PDF)

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MGP14N60E

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History: MMG150HB060H6EN

 

 
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