MGP14N60E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MGP14N60E
Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 110 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 18 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 104 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 57 nC
Paquete / Cubierta: TO220
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MGP14N60E Datasheet (PDF)
mgp14n60erev0.pdf
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Liste
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