MGP14N60E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MGP14N60E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 110 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 104 pF
Encapsulados: TO220
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MGP14N60E datasheet
mgp14n60erev0.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP14N60E/D Designer's Data Sheet MGP14N60E Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced IGBT IN TO 220 termination scheme to provide an enhanced and reliable high 14 A @ 90 C voltage blocking capability. Its new 600 V I
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