Справочник IGBT. MGP14N60E

 

MGP14N60E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGP14N60E
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 104 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 57 nC
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MGP14N60E

 

 

MGP14N60E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:125K  motorola
 mgp14n60erev0.pdf

MGP14N60E MGP14N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGP14N60E/DDesigner's Data SheetMGP14N60EInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO220termination scheme to provide an enhanced and reliable high14 A @ 90Cvoltageblocking capability. Its new 600 V I

Другие IGBT... MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , RJP30H1DPD , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL , MGP15N43CL , MGP15N60U , MGP20N14CL , MGP20N35CL , MGP20N40CL .

 

 
Back to Top