Справочник IGBT. MGP14N60E

 

MGP14N60E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MGP14N60E

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 112W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 38

Емкость коллектора (Cc), pf: 1020pF

Корпус: TO220

Аналог (замена) для MGP14N60E

 

 

MGP14N60E Datasheet (PDF)

1.1. mgp14n60erev0.pdf Size:125K _motorola

MGP14N60E
MGP14N60E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP14N60E/D Designer's? Data Sheet MGP14N60E Insulated Gate Bipolar Transistor NChannel EnhancementMode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced IGBT IN TO220 termination scheme to provide an enhanced and reliable high 14 A @ 90C voltageblocking capability. Its new 600 V IGBT technology

Другие IGBT... MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , RJP30H1DPP-M0 , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL , MGP15N43CL , MGP15N60U , MGP20N14CL , MGP20N35CL , MGP20N40CL .

Back to Top

 


MGP14N60E
  MGP14N60E
  MGP14N60E
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top