MGP14N60E - аналоги и описание IGBT

 

MGP14N60E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MGP14N60E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 104 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MGP14N60E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGP14N60E даташит

 0.1. Size:125K  motorola
 mgp14n60erev0.pdf pdf_icon

MGP14N60E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGP14N60E/D Designer's Data Sheet MGP14N60E Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced IGBT IN TO 220 termination scheme to provide an enhanced and reliable high 14 A @ 90 C voltage blocking capability. Its new 600 V I

Другие IGBT... MDI200-12A4 , MDI300-12A4 , MDI550-12A4 , MDI75-12A3 , MGB15N35CLT4 , MGB15N40CL , MGP11N60E , MGP11N60ED , SGT40N60NPFDPN , MGP15N35CL , MGP15N38CL , MGP15N40CL , MGP15N43CL , MGP15N60U , MGP20N14CL , MGP20N35CL , MGP20N40CL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.