MGS05N60D Todos los transistores

MGS05N60D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MGS05N60D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 15 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 11 pF

Encapsulados: TO92L

- Selección ⓘ de transistores por parámetros