Справочник IGBT. MGS05N60D

 

MGS05N60D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MGS05N60D

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 28

Емкость коллектора (Cc), pf: 75pF

Корпус: TO226AE

Аналог (замена) для MGS05N60D

 

 

MGS05N60D Datasheet (PDF)

1.1. mgs05n60drev0.pdf Size:135K _motorola

MGS05N60D
MGS05N60D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGS05N60D/D Designer's? Data Sheet MGS05N60D Insulated Gate Bipolar Transistor NChannel EnhancementMode Silicon Gate This IGBT contains a builtin free wheeling diode and a gate protection zener. Fast switching characteristics result in efficient POWERLUX operation at higher frequencies. IGBT BuiltIn Free Wheeling Diode

Другие IGBT... MGP20N35CL , MGP20N40CL , MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , IRG4PC50U , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED .

Back to Top

 


MGS05N60D
  MGS05N60D
  MGS05N60D
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top