MGS05N60D - аналоги и описание IGBT

 

MGS05N60D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MGS05N60D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 15 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 0.5 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 11 pF

Тип корпуса: TO92L

 Аналог (замена) для MGS05N60D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGS05N60D даташит

 0.1. Size:135K  motorola
 mgs05n60drev0.pdf pdf_icon

MGS05N60D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGS05N60D/D Designer's Data Sheet MGS05N60D Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This IGBT contains a built in free wheeling diode and a gate protection zener. Fast switching characteristics result in efficient POWERLUX operation at higher frequencies. IGBT Built In Free

Другие IGBT... MGP20N35CL , MGP20N40CL , MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , IRGP4063D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.