Справочник IGBT. MGS05N60D

 

MGS05N60D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGS05N60D
   Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 15 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 0.5 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 11 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 6.4 nC
   Тип корпуса: TO92L

 Аналог (замена) для MGS05N60D

 

 

MGS05N60D Datasheet (PDF)

 0.1. Size:135K  motorola
 mgs05n60drev0.pdf

MGS05N60D MGS05N60D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGS05N60D/DDesigner's Data SheetMGS05N60DInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis IGBT contains a builtin free wheeling diode and a gateprotection zener. Fast switching characteristics result in efficientPOWERLUXoperation at higher frequencies.IGBT BuiltIn Free

Другие IGBT... MGP20N35CL , MGP20N40CL , MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , FGA60N65SMD , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED .

 

 
Back to Top