MGV12N120D Todos los transistores

 

MGV12N120D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MGV12N120D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 123 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 114 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 126 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 31 nC
   Paquete / Cubierta: TO268AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

MGV12N120D Datasheet (PDF)

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MGV12N120D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGV12N120D/DProduct Preview Data SheetMGV12N120DInsulated Gate Bipolar Transistorwith Anti-Parallel DiodeNChannel Enhancement Mode Silicon GateIGBT & DIODE IN D3PAK12 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged20 A @ 25Cwith a soft recovery ultrafast rectifier and uses an adva

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History: HGTD8P50G1 | IRGPS46160D | IXGA12N100AU1 | MUBW15-06A7

 

 
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