MGV12N120D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MGV12N120D

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 123W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Корпус: TO268AA

Аналог (замена) для MGV12N120D

MGV12N120D Datasheet (PDF)

1.1. mgv12n120d.pdf Size:83K _motorola

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGV12N120D/D Product Preview Data Sheet MGV12N120D Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N�Channel Enhancement Mode Silicon Gate IGBT & DIODE IN D3PAK 12 A @ 90�C This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co�packaged 20 A @ 25�C with a soft recovery ultra�fast rectifier and uses an advanced 1200

1.2. mgv12n120drev0.pdf Size:79K _motorola

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGV12N120D/D Product Preview Data Sheet MGV12N120D Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N�Channel Enhancement Mode Silicon Gate IGBT & DIODE IN D3PAK 12 A @ 90�C This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co�packaged 20 A @ 25�C with a soft recovery ultra�fast rectifier and uses an advanced 1200

Другие IGBT... MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , IRGB14C40L , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D .