MGV12N120D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MGV12N120D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 123 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 114 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 126 pF
Тип корпуса: TO268AA
Аналог (замена) для MGV12N120D
MGV12N120D Datasheet (PDF)
mgv12n120d.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGV12N120D/DProduct Preview Data SheetMGV12N120DInsulated Gate Bipolar Transistorwith Anti-Parallel DiodeNChannel Enhancement Mode Silicon GateIGBT & DIODE IN D3PAK12 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged20 A @ 25Cwith a soft recovery ultrafast rectifier and uses an adva
mgv12n120drev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGV12N120D/DProduct Preview Data SheetMGV12N120DInsulated Gate Bipolar Transistorwith Anti-Parallel DiodeNChannel Enhancement Mode Silicon GateIGBT & DIODE IN D3PAK12 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged20 A @ 25Cwith a soft recovery ultrafast rectifier and uses an adva
Другие IGBT... MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , FGH60N60SFD , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06