MGV12N120D - аналоги и описание IGBT

 

MGV12N120D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MGV12N120D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 123 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 114 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 126 pF

Тип корпуса: TO268AA

 Аналог (замена) для MGV12N120D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGV12N120D даташит

 ..1. Size:83K  motorola
 mgv12n120d.pdf pdf_icon

MGV12N120D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGV12N120D/D Product Preview Data Sheet MGV12N120D Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N Channel Enhancement Mode Silicon Gate IGBT & DIODE IN D3PAK 12 A @ 90 C This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co packaged 20 A @ 25 C with a soft recovery ultra fast rectifier and uses an adva

 0.1. Size:79K  motorola
 mgv12n120drev0.pdf pdf_icon

MGV12N120D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGV12N120D/D Product Preview Data Sheet MGV12N120D Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N Channel Enhancement Mode Silicon Gate IGBT & DIODE IN D3PAK 12 A @ 90 C This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co packaged 20 A @ 25 C with a soft recovery ultra fast rectifier and uses an adva

Другие IGBT... MGP20N60U , MGP21N60E , MGP4N60E , MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , IRG7R313U , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.