MGW14N60ED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MGW14N60ED
Tipo de transistor: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 112 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 18 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 104 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 57 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MGW14N60ED - IGBT
MGW14N60ED Datasheet (PDF)
mgw14n60ed.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW14N60ED/DDesigner's Data SheetMGW14N60EDInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackagedIGBT IN TO247with a soft recovery ultrafast rectifier and uses an advanced14 A @ 90Ctermination scheme to provide an enhanc
Otros transistores... MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , CRG40T60AK3HD , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2