MGW14N60ED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MGW14N60ED

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 112W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 10000

Корпус: TO247

Аналог (замена) для MGW14N60ED

MGW14N60ED Datasheet (PDF)

1.1. mgw14n60ed.pdf Size:154K _motorola

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW14N60ED/D Designer's? Data Sheet MGW14N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor N�Channel Enhancement�Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co�packaged IGBT IN TO�247 with a soft recovery ultra�fast rectifier and uses an advanced 14 A @ 90�C termination scheme to provide an enhanced and reliable

Другие IGBT... MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , SGW25N120 , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 .