MGW14N60ED - аналоги и описание IGBT

 

MGW14N60ED - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MGW14N60ED

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 112 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 104 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MGW14N60ED

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGW14N60ED даташит

 ..1. Size:154K  motorola
 mgw14n60ed.pdf pdf_icon

MGW14N60ED

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW14N60ED/D Designer's Data Sheet MGW14N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co packaged IGBT IN TO 247 with a soft recovery ultra fast rectifier and uses an advanced 14 A @ 90 C termination scheme to provide an enhanc

Другие IGBT... MGP4N60ED , MGP7N60E , MGP7N60ED , MGS05N60D , MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , RJH3047 , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.