MGW30N60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MGW30N60
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 202 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 275 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 150 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MGW30N60 - IGBT
MGW30N60 Datasheet (PDF)
mgw30n60.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW30N60/DDesigner's Data SheetMGW30N60Insulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO247termination scheme to provide an enhanced and reliable high30 A @ 90Cvoltageblocking ca
mgw30n60rev0dx.pdf
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