MGW30N60 - аналоги и описание IGBT

 

MGW30N60 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MGW30N60

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 202 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 275 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MGW30N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGW30N60 даташит

 ..1. Size:184K  motorola
 mgw30n60.pdf pdf_icon

MGW30N60

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW30N60/D Designer's Data Sheet MGW30N60 Insulated Gate Bipolar Transistor Motorola Preferred Device N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced IGBT IN TO 247 termination scheme to provide an enhanced and reliable high 30 A @ 90 C voltage blocking ca

 0.1. Size:214K  motorola
 mgw30n60rev0dx.pdf pdf_icon

MGW30N60

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGW30N60/D Designer's Data Sheet MGW30N60 Insulated Gate Bipolar Transistor Motorola Preferred Device N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced IGBT IN TO 247 termination scheme to provide an enhanced and reliable high 30 A @ 90 C voltage blocking ca

Другие IGBT... MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , YGW60N65F1A1 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 .

History: IXGH20N60B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.