Справочник IGBT. MGW30N60

 

MGW30N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGW30N60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 202 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 275 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MGW30N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  motorola
 mgw30n60.pdf pdf_icon

MGW30N60

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW30N60/DDesigner's Data SheetMGW30N60Insulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO247termination scheme to provide an enhanced and reliable high30 A @ 90Cvoltageblocking ca

 0.1. Size:214K  motorola
 mgw30n60rev0dx.pdf pdf_icon

MGW30N60

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGW30N60/DDesigner's Data SheetMGW30N60Insulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advancedIGBT IN TO247termination scheme to provide an enhanced and reliable high30 A @ 90Cvoltageblocking ca

Другие IGBT... MGS13002D , MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , RJH3047 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 .

History: MPGW40N65E | FGH40N65UFDTU | MPBW50N65E | HGT1S10N120BNS | MSG80N350FH | FGD3N60UNDF

 

 
Back to Top

 


 
.