MGY20N120D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MGY20N120D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 174 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 28 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.42 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 103 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 208 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 63 nC
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de MGY20N120D - IGBT
MGY20N120D Datasheet (PDF)
mgy20n120d.pdf
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mgy20n120drev0.pdf
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Liste
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