MGY20N120D Todos los transistores

 

MGY20N120D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MGY20N120D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 174 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 28 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.42 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 103 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 208 pF
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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MGY20N120D Datasheet (PDF)

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MGY20N120D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGY20N120D/DDesigner's Data SheetMGY20N120DInsulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred Devicewith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO26420 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged28 A @ 25Cwith a soft recovery ultraf

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