Справочник IGBT. MGY20N120D

 

MGY20N120D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGY20N120D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 174 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.42 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 103 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 208 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 63 nC
   Тип корпуса: TO264
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MGY20N120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  motorola
 mgy20n120d.pdf pdf_icon

MGY20N120D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGY20N120D/DDesigner's Data SheetMGY20N120DInsulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred Devicewith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO26420 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged28 A @ 25Cwith a soft recovery ultraf

 0.1. Size:254K  motorola
 mgy20n120drev0.pdf pdf_icon

MGY20N120D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGY20N120D/DDesigner's Data SheetMGY20N120DInsulated Gate Bipolar TransistorMotorola Preferred Devicewith Anti-Parallel DiodeNChannel EnhancementMode Silicon GateIGBT & DIODE IN TO26420 A @ 90CThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is copackaged28 A @ 25Cwith a soft recovery ultraf

Другие IGBT... MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , SGT60N60FD1P7 , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , MID550-12A4 .

History: IXGX100N170 | HGTP1N120BN | IXGR32N60CD1

 

 
Back to Top

 


 
.