MGY20N120D - аналоги и описание IGBT

 

MGY20N120D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MGY20N120D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 174 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.42 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 103 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 208 pF

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для MGY20N120D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGY20N120D даташит

 ..1. Size:176K  motorola
 mgy20n120d.pdf pdf_icon

MGY20N120D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGY20N120D/D Designer's Data Sheet MGY20N120D Insulated Gate Bipolar Transistor Motorola Preferred Device with Anti-Parallel Diode N Channel Enhancement Mode Silicon Gate IGBT & DIODE IN TO 264 20 A @ 90 C This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co packaged 28 A @ 25 C with a soft recovery ultra f

 0.1. Size:254K  motorola
 mgy20n120drev0.pdf pdf_icon

MGY20N120D

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGY20N120D/D Designer's Data Sheet MGY20N120D Insulated Gate Bipolar Transistor Motorola Preferred Device with Anti-Parallel Diode N Channel Enhancement Mode Silicon Gate IGBT & DIODE IN TO 264 20 A @ 90 C This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co packaged 28 A @ 25 C with a soft recovery ultra f

Другие IGBT... MGV12N120D , MGW12N120 , MGW12N120D , MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , CRG60T60AK3HD , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , MID550-12A4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.