MID100-12A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MID100-12A3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 560 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 135 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MID100-12A3 - IGBT
MID100-12A3 Datasheet (PDF)
mid100-12a3.pdf
MID100-12A3VCES = 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 135AC25VCE(sat) = 2.2VBoost Chopper + free wheeling DiodePart numberMID100-12A3Backside: isolated13452Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching
Otros transistores... MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , CRG15T120BNR3S , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2