MID100-12A3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MID100-12A3  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 560 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 135 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Encapsulados: MODULE

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MID100-12A3 datasheet

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MID100-12A3

MID100-12A3 VCES = 1200V IGBT (NPT) Module I= 135A C25 VCE(sat) = 2.2V Boost Chopper + free wheeling Diode Part number MID100-12A3 Backside isolated 1 3 4 5 2 Features / Advantages Applications Package Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage V 3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching

Otros transistores... MGW14N60ED, MGW20N120, MGW20N60D, MGW21N60ED, MGW30N60, MGY20N120D, MGY25N120, MGY25N120D, IRGP4063D, MID145-12A3, MID150-12A4, MID200-12A4, MID300-12A4, MID550-12A4, MID75-12A3, MMG05N60D, MSAGX60F60A