MID100-12A3 Todos los transistores

 

MID100-12A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MID100-12A3
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 560 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 135 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 350 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MID100-12A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  ixys
 mid100-12a3.pdf pdf_icon

MID100-12A3

MID100-12A3VCES = 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 135AC25VCE(sat) = 2.2VBoost Chopper + free wheeling DiodePart numberMID100-12A3Backside: isolated13452Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching

Otros transistores... MGW14N60ED , MGW20N120 , MGW20N60D , MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , CRG15T120BNR3S , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A .

History: HIL40N120TF

 

 
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