MID100-12A3 Todos los transistores

 

MID100-12A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MID100-12A3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 560 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 135 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MID100-12A3 PDF specs

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MID100-12A3

MID100-12A3 VCES = 1200V IGBT (NPT) Module I= 135A C25 VCE(sat) = 2.2V Boost Chopper + free wheeling Diode Part number MID100-12A3 Backside isolated 1 3 4 5 2 Features / Advantages Applications Package Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage V 3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching ... See More ⇒

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