MID100-12A3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MID100-12A3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 135 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MID100-12A3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MID100-12A3 даташит

 ..1. Size:190K  ixys
 mid100-12a3.pdf pdf_icon

MID100-12A3

MID100-12A3 VCES = 1200V IGBT (NPT) Module I= 135A C25 VCE(sat) = 2.2V Boost Chopper + free wheeling Diode Part number MID100-12A3 Backside isolated 1 3 4 5 2 Features / Advantages Applications Package Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage V 3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching

Другие IGBT... MGW14N60ED, MGW20N120, MGW20N60D, MGW21N60ED, MGW30N60, MGY20N120D, MGY25N120, MGY25N120D, IRGP4063D, MID145-12A3, MID150-12A4, MID200-12A4, MID300-12A4, MID550-12A4, MID75-12A3, MMG05N60D, MSAGX60F60A