MID200-12A4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MID200-12A4  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1130 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃

Encapsulados: MODULE

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MID200-12A4 datasheet

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MID200-12A4

MII 200-12 A4 MID 200-12 A4 MDI 200-12 A4 IC25 = 270 A IGBT Modules VCES = 1200 V VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 3 MII MID MDI 2 11 3 3 3 1 10 9 8 8 8 1 1 1 9 9 11 11 2 2 2 10 10 E 72873 Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT IGBT technology low saturation voltage VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V low switching losses VCGR

Otros transistores... MGW21N60ED, MGW30N60, MGY20N120D, MGY25N120, MGY25N120D, MID100-12A3, MID145-12A3, MID150-12A4, FGPF4633, MID300-12A4, MID550-12A4, MID75-12A3, MMG05N60D, MSAGX60F60A, MSAGX60F60B, MSAGX75F60A, MSAGX75F60B