MID200-12A4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MID200-12A4  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1130 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MID200-12A4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MID200-12A4 даташит

 ..1. Size:113K  ixys
 mid200-12a4.pdf pdf_icon

MID200-12A4

MII 200-12 A4 MID 200-12 A4 MDI 200-12 A4 IC25 = 270 A IGBT Modules VCES = 1200 V VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 3 MII MID MDI 2 11 3 3 3 1 10 9 8 8 8 1 1 1 9 9 11 11 2 2 2 10 10 E 72873 Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT IGBT technology low saturation voltage VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V low switching losses VCGR

Другие IGBT... MGW21N60ED, MGW30N60, MGY20N120D, MGY25N120, MGY25N120D, MID100-12A3, MID145-12A3, MID150-12A4, FGPF4633, MID300-12A4, MID550-12A4, MID75-12A3, MMG05N60D, MSAGX60F60A, MSAGX60F60B, MSAGX75F60A, MSAGX75F60B