Справочник IGBT. MID200-12A4

 

MID200-12A4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MID200-12A4

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Корпус: INT-A-PAK

Аналог (замена) для MID200-12A4

 

 

MID200-12A4 Datasheet (PDF)

1.1. mid200-12a4.pdf Size:113K _igbt

MID200-12A4
MID200-12A4

MII 200-12 A4 MID 200-12 A4 MDI 200-12 A4 IC25 = 270 A IGBT Modules VCES = 1200 V VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 3 MII MID MDI 2 11 3 3 3 1 10 9 8 8 8 1 1 1 9 9 11 11 2 2 2 10 10 E 72873 Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT IGBT technology low saturation voltage VCES TJ = 25°C to 150°C 1200 V low switching losses VCGR

Другие IGBT... MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , 1MBH50D-060 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B .

Back to Top

 


MID200-12A4
  MID200-12A4
  MID200-12A4
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top