Справочник IGBT. MID200-12A4

 

MID200-12A4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MID200-12A4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1130 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MID200-12A4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MID200-12A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  ixys
 mid200-12a4.pdf pdf_icon

MID200-12A4

MII 200-12 A4 MID 200-12 A4MDI 200-12 A4IC25 = 270 AIGBT ModulesVCES = 1200 VVCE(sat) typ. = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA3MIIMID MDI2113 3 3110988 81 1 19 911 112 2 21010E 72873FeaturesSymbol Conditions Maximum RatingsNPT IGBT technologylow saturation voltageVCES TJ = 25C to 150C 1200 Vlow switching lossesVCGR

Другие IGBT... MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , IKW30N60H3 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B .

History: GT75G101 | IRGP4760 | PPNGZ52F120A | HGT1S7N60C3DS

 

 
Back to Top

 


 
.