MID550-12A4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MID550-12A4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 500 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
Encapsulados: MODULE
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MID550-12A4 datasheet
mid550-12a4.pdf
MID 550-12 A4 MDI 550-12 A4 IGBT Modules IC25 = 670 A VCES = 1200 V Short Circuit SOA Capability VCE(sat) typ. = 2.3 V Square RBSOA 3 MID MDI 2 11 3 3 1 10 9 8 8 1 1 9 11 2 2 10 E 72873 Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT IGBT technology low saturation voltage VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V low switching losses VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 20 kW 120
Otros transistores... MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , JT075N065WED , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B .
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