MID550-12A4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MID550-12A4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 500 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
MID550-12A4 Datasheet (PDF)
mid550-12a4.pdf

MID 550-12 A4MDI 550-12 A4IGBT Modules IC25 = 670 AVCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat) typ. = 2.3 VSquare RBSOA3MID MDI2113 31109881 19112 210E 72873FeaturesSymbol Conditions Maximum RatingsNPT IGBT technologylow saturation voltageVCES TJ = 25C to 150C 1200 Vlow switching lossesVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 20 kW 120
Otros transistores... MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , IKW50N60H3 , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B .
History: APT15GT60KR | SPM1003 | DM2G150SH12AE | TT060U065FB
History: APT15GT60KR | SPM1003 | DM2G150SH12AE | TT060U065FB



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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