MID550-12A4 Todos los transistores

 

MID550-12A4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MID550-12A4
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2750 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 500 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MID550-12A4 Datasheet (PDF)

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MID550-12A4

MID 550-12 A4MDI 550-12 A4IGBT Modules IC25 = 670 AVCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat) typ. = 2.3 VSquare RBSOA3MID MDI2113 31109881 19112 210E 72873FeaturesSymbol Conditions Maximum RatingsNPT IGBT technologylow saturation voltageVCES TJ = 25C to 150C 1200 Vlow switching lossesVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 20 kW 120

Otros transistores... MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , TGAN60N60F2DS , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B .

 

 
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