Справочник IGBT. MID550-12A4

 

MID550-12A4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MID550-12A4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2750 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MID550-12A4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MID550-12A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  ixys
 mid550-12a4.pdf pdf_icon

MID550-12A4

MID 550-12 A4MDI 550-12 A4IGBT Modules IC25 = 670 AVCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat) typ. = 2.3 VSquare RBSOA3MID MDI2113 31109881 19112 210E 72873FeaturesSymbol Conditions Maximum RatingsNPT IGBT technologylow saturation voltageVCES TJ = 25C to 150C 1200 Vlow switching lossesVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 20 kW 120

Другие IGBT... MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , TGAN60N60F2DS , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B .

History: RCH10N40

 

 
Back to Top

 


 
.