MID550-12A4 - аналоги и описание IGBT

 

MID550-12A4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MID550-12A4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2750 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MID550-12A4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MID550-12A4 даташит

 ..1. Size:111K  ixys
 mid550-12a4.pdf pdf_icon

MID550-12A4

MID 550-12 A4 MDI 550-12 A4 IGBT Modules IC25 = 670 A VCES = 1200 V Short Circuit SOA Capability VCE(sat) typ. = 2.3 V Square RBSOA 3 MID MDI 2 11 3 3 1 10 9 8 8 1 1 9 11 2 2 10 E 72873 Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT IGBT technology low saturation voltage VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V low switching losses VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 20 kW 120

Другие IGBT... MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , JT075N065WED , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.