MMG05N60D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMG05N60D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
Encapsulados: SOT223
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MMG05N60D datasheet
mmg05n60drev0.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMG05N60D/D Designer's Data Sheet MMG05N60D Insulated Gate Bipolar Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This IGBT contains a built in free wheeling diode and a gate protection zener. Fast switching characteristics result in efficient POWERLUX operation at higher frequencies. IGBT Built In Free
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