MMG05N60D Todos los transistores

 

MMG05N60D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMG05N60D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: SOT223
     - Selección de transistores por parámetros

 

MMG05N60D Datasheet (PDF)

 0.1. Size:135K  motorola
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MMG05N60D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMG05N60D/DDesigner's Data SheetMMG05N60DInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis IGBT contains a builtin free wheeling diode and a gateprotection zener. Fast switching characteristics result in efficientPOWERLUXoperation at higher frequencies.IGBT BuiltIn Free

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History: MIXA450PF1200TSF | NCE80TC65BT | IXGK50N60C2D1 | IXGT64N60A3 | GA400TD25S | APT60GA60JD60 | IKD10N60RF

 

 
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