Справочник IGBT. MMG05N60D

 

MMG05N60D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MMG05N60D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для MMG05N60D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MMG05N60D Datasheet (PDF)

 0.1. Size:135K  motorola
 mmg05n60drev0.pdf pdf_icon

MMG05N60D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMG05N60D/DDesigner's Data SheetMMG05N60DInsulated Gate Bipolar TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateThis IGBT contains a builtin free wheeling diode and a gateprotection zener. Fast switching characteristics result in efficientPOWERLUXoperation at higher frequencies.IGBT BuiltIn Free

Другие IGBT... MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , MID200-12A4 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , MID75-12A3 , IRGP4066D , MSAGX60F60A , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B , MSAGZ52F120A , MSAGZ52F120B .

 

 
Back to Top

 


 
.