MSAGZ52F120B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSAGZ52F120B
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 95 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2200pF pF
Paquete / Cubierta: SMD-P
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MSAGZ52F120B Datasheet (PDF)
msagz52f120a.pdf
2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220MSAGZ52F120AFAX: (714) 966-5256MSAHZ52F120AFeatures1200 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof52 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance3.2 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity ava
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Liste
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