MSAGZ52F120B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: MSAGZ52F120B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: P
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 95 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2200pF pF
   Тип корпуса: SMD-P
     - подбор IGBT транзистора по параметрам