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MSAHX75L60D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSAHX75L60D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 4000pF pF
   Paquete / Cubierta: SMD-P
 

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Principales características: MSAHX75L60D

 4.1. Size:34K  microsemi
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MSAHX75L60D

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAHX75L60C Features 600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure 75 Amps high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed, surface mount power package 1.8 Volts vce(sat) Low package inductance Very low thermal resistance Reverse polarity available upon reque

 9.1. Size:35K  microsemi
 msahx60f60a.pdf pdf_icon

MSAHX75L60D

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 MSAGX60F60A FAX (714) 966-5256 MSAHX60F60A Features 600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof 60 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance 2.9 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity availa

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