MSAHX75L60D Todos los transistores

 

MSAHX75L60D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSAHX75L60D

Polaridad de transistor: P-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 300

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.8

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 75

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 50

Capacitancia de salida (Cc), pF: 4000pF

Empaquetado / Estuche: SMD-P

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MSAHX75L60D Datasheet (PDF)

1.1. msahx75l60c.pdf Size:34K _microsemi

MSAHX75L60D
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2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 FAX: (714) 966-5256 MSAHX75L60C Features 600 Volts • Rugged polysilicon gate cell structure 75 Amps • high current handling capability, latch-proof • Hermetically sealed, surface mount power package 1.8 Volts vce(sat) • Low package inductance • Very low thermal resistance • Reverse polarity available upon reque

5.1. msahx60f60a.pdf Size:35K _microsemi

MSAHX75L60D
MSAHX75L60D

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 MSAGX60F60A FAX: (714) 966-5256 MSAHX60F60A Features 600 Volts • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof 60 Amps • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance 2.9 Volts vce(sat) • Very low thermal resistance • Reverse polarity availa

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