MSAHX75L60D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MSAHX75L60D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: P

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4000pF pF

Тип корпуса: SMD-P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MSAHX75L60D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MSAHX75L60D даташит

 4.1. Size:34K  microsemi
 msahx75l60c.pdf pdf_icon

MSAHX75L60D

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAHX75L60C Features 600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure 75 Amps high current handling capability, latch-proof Hermetically sealed, surface mount power package 1.8 Volts vce(sat) Low package inductance Very low thermal resistance Reverse polarity available upon reque

 9.1. Size:35K  microsemi
 msahx60f60a.pdf pdf_icon

MSAHX75L60D

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 MSAGX60F60A FAX (714) 966-5256 MSAHX60F60A Features 600 Volts Rugged polysilicon gate cell structure high current handling capability, latch-proof 60 Amps Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance 2.9 Volts vce(sat) Very low thermal resistance Reverse polarity availa

Другие IGBT... MSAGX75F60B, MSAGX75L60A, MSAGX75L60B, MSAGZ52F120A, MSAGZ52F120B, MSAHX60F60A, MSAHX60F60B, MSAHX75L60C, YGP20N65T2, MSAHZ52F120A, MSAHZ52F120B, NTE3311, NTE3312, NTE3320, NTE3321, NTE3322, NTE3323