Справочник IGBT. MSAHX75L60D

 

MSAHX75L60D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MSAHX75L60D

Тип управляющего канала: P-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 50

Емкость коллектора (Cc), pf: 4000pF

Корпус: SMD-P

Аналог (замена) для MSAHX75L60D

 

 

MSAHX75L60D Datasheet (PDF)

1.1. msahx75l60c.pdf Size:34K _microsemi

MSAHX75L60D
MSAHX75L60D

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 FAX: (714) 966-5256 MSAHX75L60C Features 600 Volts • Rugged polysilicon gate cell structure 75 Amps • high current handling capability, latch-proof • Hermetically sealed, surface mount power package 1.8 Volts vce(sat) • Low package inductance • Very low thermal resistance • Reverse polarity available upon reque

5.1. msahx60f60a.pdf Size:35K _microsemi

MSAHX75L60D
MSAHX75L60D

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 MSAGX60F60A FAX: (714) 966-5256 MSAHX60F60A Features 600 Volts • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof 60 Amps • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance 2.9 Volts vce(sat) • Very low thermal resistance • Reverse polarity availa

Другие IGBT... MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B , MSAGZ52F120A , MSAGZ52F120B , MSAHX60F60A , MSAHX60F60B , MSAHX75L60C , FII50-12E , MSAHZ52F120A , MSAHZ52F120B , NTE3311 , NTE3312 , NTE3320 , NTE3321 , NTE3322 , NTE3323 .

 

 
Back to Top