NTE3311 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTE3311  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS

Encapsulados: TO3P

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NTE3311 datasheet

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NTE3311

NTE3311 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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NTE3311

NTE3312 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch TO3P Type Package Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25_C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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NTE3311

NTE3310 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching D Motor Control Absolute Maximum Raings (TA = +25 C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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NTE3311

NTE3321 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch TO3P Type Package Features D High Input Impedance D High Speed D Low Saturation Voltage D Enhancement Mode Applications D High Power Switching Absolute Maximum Ratings (TA = +25_C unless otherwise specified) Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Otros transistores... MSAGZ52F120A, MSAGZ52F120B, MSAHX60F60A, MSAHX60F60B, MSAHX75L60C, MSAHX75L60D, MSAHZ52F120A, MSAHZ52F120B, YGF20N65T2, NTE3312, NTE3320, NTE3321, NTE3322, NTE3323, P12N60C3, PPNGZ52F120A, PPNGZ52F120B